整理No.	特許番号	公開番号	特許名称	要 　　　　　 約
1	2967122	特開平10-98214	ZnSe半導体発光素子	タイトル	ZnSeを用いた青色発光ダイオード
				利用分野	ディスプレー用青色光源、青色レーザ
				活用の視点・ポイント	Se溶媒液相成長と有機金属気相成長法を併用することにより高効率のZnSe青色発光pｎ接合を形成する
2	2997923	特開平10-69581	識別用発光装置	タイトル	特定のものを簡単に識別する小型デバイス
				利用分野	駐車場、物品倉庫の管理等
				活用の視点・ポイント	赤外線発光ダイオードからコード化した信号を発信し、その信号情報を受信した自動車などの当該物体が可視光を点滅することにより、簡単かつ迅速に物体を見付け出すことができる。
3	3057547	特開平08-288551	緑色発光ダイオード	タイトル	輝度が高く廉価なＧａＰ純緑色発光ダイオード
				利用分野	発光ダイオードを使った各種表示装置、交通信号灯等
				活用の視点・ポイント	AlxGa1-xP層による電子障壁を利用してGaP層に電子を閉じ込めることにより、高効率の緑色発光を生じさせる。液相成長法を適用できるので極めて安価で高輝度である。
4	2696730	特開平05-020552	識別用発光装置	タイトル	特定のものを簡単に識別する小型デバイス
				利用分野	駐車場、物品倉庫の管理等
				活用の視点・ポイント	赤外線発光ダイオードからコード化した信号を発信し、その信号情報を受信した自動車などの当該物体が可視光を点滅することにより、簡単かつ迅速に物体を見付け出すことができる。
5	2639394	特開平04-150083	半導体ラマンレーザ	タイトル	半導体中のラマン効果を利用した、光増幅・発振及びテラヘルツ波発生デバイス
				利用分野	超波長多重光通信、食品化学、生体化学、医療等
				活用の視点・ポイント	GaP半導体の光導波路を活用することにより高いラマン効率を得ており、小型であって、低エネルギーで発振する簡便なレーザである。
6	2089119	特開平02-311387	混晶化合物半導体の結晶成長法	タイトル	ストキオメトリ制御法を結晶化合物半導体に適用した極低欠陥密度の結晶成長法
				利用分野	半導体レーザー等
				活用の視点・ポイント	結晶成長中に最適な砒素蒸気圧を印加してAlxGa1-xAsエピタキシャル成長層を得る技術であり、点欠陥や転位を極限まで減らした完全な結晶の成長が可能であり、発光ダイオードや半導体レーザの効率を高め、寿命を著しく長くすることができる。
7	2619717	特開平02-309303	光変調器	タイトル	GaP導波路を利用した光変調器
				利用分野	光通信、光スイッチング、光計測
				活用の視点・ポイント	GaP−AlGaP導波路を利用することにより、変調効率及び変調速度の高い光変調器を得ている。
8	1793337	特開平01-105589	半導体ラマンレーザ	タイトル	半導体中のラマン効果を利用した光発光デバイス
				利用分野	波長多重光通信、生体計測、医療など
				活用の視点・ポイント	GaP−AlGaP導波路を利用することによって低エネルギーで発振する光励起型のレーザである。
9	1690086	特開昭63-144200	InPの結晶成長法	タイトル	ストイキオメトリ（精密な組成制御）による、高純度、かつ高品位の著しく完全性の高いInP結晶成長法
				利用分野	半導体レーザー等
				活用の視点・ポイント	結晶成長中に最適な燐蒸気圧を印加してＩｎＰのエピタキシャル成長を行うため、点欠陥や転位を極限まで減らした成長が可能であり、オプトエレクトロニクスデバイスの高性能、高速化、長寿命、信頼性を得ることができる。
10	1851707	特開平02-288713	共振回路制御装置	タイトル	非接触半導体ウエハ抵抗率測定装置
				利用分野	半導体材料評価
				活用の視点・ポイント	半導体ウエハの抵抗率を評価するために、一般に用いられているような大掛かりな設備を必要とせず、LC共振特性を利用して、極めて容易に抵抗率測定でき、かつ安価に測定装置を構成できる。非接触半導体ウエハ抵抗率マッピング装置、あるいは非接触半導体ウエハキャリアライフタイム測定装置としても使える。