| 整理No. | 特許番号 | 公開番号 | 特許名称 | 要 約 | |
| 11 | 2673891 | 特開平01-278119 | 静電誘導サイリスタの駆動回路 | タイトル | 静電誘導サイリスタの駆動回路 |
| 利用分野 | 電力制御半導体素子 | ||||
| 活用の視点・ポイント | 静電誘導サイリスタは高周波で、かつ損失少なく動作させることができる電力用半導体素子である。BPTやIGBTなどと同様な使用法で、より大電力を高効率に制御ができるので、小型電源装置から直流送電のような大規模な電力制御まで利用できる。 | ||||
| 12 | 2664163 | 特開平01-097173 | 高周波PWMフルブリッチ電力変換装置 | タイトル | 高効率PWMインバータ |
| 利用分野 | 電力制御半導体素子 | ||||
| 活用の視点・ポイント | PWMインバータを高周波で、かつ損失少なく動作させることができる電力回路である。BPT、BSIT、GTO、IGBTなどのON電圧の低い素子と、SITやSIThyの高速素子を組合せて用いることにより、高速性能と低損失性能を両立させることができる。高いエネルギー変換効率が得られる。 | ||||
| 13 | 1782557 | 特開昭63-214084 | 固体撮像装置の信号読み出し方法 | タイトル | 高感度イメージセンサ |
| 利用分野 | 撮像装置、イメージセンサ、CCDカメラ | ||||
| 活用の視点・ポイント | 受光素子としてSITを用いると、高感度、広い波長ダイナミックレンジが得られる。また、CCDのようなイメージセンサにする場合、容易に高集積化が図れる。本特許はSITで構成された超高感度CCDで、ノイズを減らすための回路を提示する。天体観測用など、より微弱な光を検出する高感度な測定ほど真価を発揮する。 | ||||
| 14 | 3055869 | 特開平09-167839 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法 | タイトル | 正確に閾値電圧を制御できる絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
| 利用分野 | MOSFET、ダブルゲート型MOSFET等 | ||||
| 活用の視点・ポイント | チャネル領域の不純物密度を補正することにより短チャネル領域においてもより正確に閾値電圧が決定できるMOSFET及びダブルゲート型ＭＯＳＦＥＴを実現できる。 | ||||
| 15 | 2982049 | 特開平09-116145 | 絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ | タイトル | 単一電源で使用できる絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ |
| 利用分野 | 半導体集積回路等 | ||||
| 活用の視点・ポイント | ｎチャネル、ｐチャネルいずれの場合もゲート電圧を順方向にバイアスする事によって電流を増加させる事ができ、単一電源で使用できる駆動能力の大きな絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ得る事ができる。 | ||||
| 16 | 2700870 | 特開平08-316494 | 静電誘導トランジスタ及びその製造方法 | タイトル | 高耐圧・大電流静電誘導トランジスタ及びその製造方法 |
| 利用分野 | 高耐圧静電誘導トランジスタ | ||||
| 活用の視点・ポイント | 最適な領域に配置されたガードリングにより素子耐圧を向上させ、高周波特性に優れ、小面積の素子部の並列化が容易にできる。ソース長を増大する事ができ、ボンディングによるインダクタンスの低減が図れ、高耐圧・大電流化が図れる。 | ||||
| 17 | 2692037 | 特開平08-316493 | 静電誘導トランジスタ及びその製造方法 | タイトル | 著しくゲート・ドレイン間接合耐圧の大きい高周波・大出力静電誘導トランジスタ及びその製造方法 |
| 利用分野 | 高耐圧静電誘導トランジスタ | ||||
| 活用の視点・ポイント | ゲート領域の周囲に設計された幅のガードリングを設けることにより高周波特性を殆ど劣化することなく著しくゲート・ドレイン間接合耐圧を大きくする事ができる。従来の静電誘導トランジスタに比べソース−ドレイン間に印加できる電圧は２倍以上にできる。高周波・大出力の静電誘導トランジスタが実現できる。 | ||||
| 18 | 2692036 | 特開平08-316492 | 静電誘導トランジスタ及びその製造方法 | タイトル | ジャストピンチオフ特性が得られる溝型静電誘導トランジスタおよびその製造方法 |
| 利用分野 | 増幅器、スイッチング回路等 | ||||
| 活用の視点・ポイント | 容易にジャストピンチオフ特性が得られ、ソース−ドレイン間の電圧降下Ｖｄ on を小さくできるので増幅器、スイッチング回路に適用した場合損失の少ない静電誘導トランジスタを得ることができる。 | ||||
| 19 | 3503094 | 特開平07-291702 | 絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ | タイトル | 駆動能力が大きく、ゲート容量が小さく、信頼性に優れた絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ及びその集積回路 |
| 利用分野 | 絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ及びその集積回路 | ||||
| 活用の視点・ポイント | より広い動作電圧の範囲でドレイン電流がゲート電圧によってもドレイン電圧によっても指数関数的に変化し、従来のMOSFETと比べて駆動能力の十分に大きな絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ及びその集積回路を提供する。 | ||||
| 20 | 2598363 | 特開平07-022530 | 静電気除去装置 | タイトル | 容易に半導体装置と組み合わせる事ができる静電気除去装置 |
| 利用分野 | 静電気除去装置 | ||||
| 活用の視点・ポイント | 従紫外線を照射して気体のガス分子をイオン化し、静電気を中和して除去することで極めて清浄な雰囲気を維持し、効果的に静電気を中和でき、また、容易に既存の半導体製造装置と組み合わせる事が可能である。 | ||||