整理No.	特許番号	公開番号	特許名称	要 　　　　　 約
21	2509127	特開平05-251689	静電誘導デバイス	タイトル	ゲート駆動回路を簡略化できるＭＯＳ制御ＳＩサイリスタ
				利用分野	静電誘導デバイス
				活用の視点・ポイント	ＳＩサイリスタのチャネルの不純物密度と絶縁ゲート型トランジスタのチャネルの不純物密度を互いに独立して選定することによりＳＩサイリスタのノーマリオフ特性を保ったまま、絶縁ゲート型トランジスタのソース−ドレイン間にパンチスルー電流が流れるのを防ぐことができる新規構造のＭＯＳ制御ＳＩサイリスタ等の静電誘導デバイスを提供する。
22	2119120	特開平05-120408	切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ集積回路	タイトル	低電源電圧においても高速・低消費電力で動作する切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ集積回路
				利用分野	論理回路等
				活用の視点・ポイント	エンハンスメントモード（Ｅモード）ＳＩＴとディプレッション・エンハンスメントモード（Ｄ/Ｅモード）ＳＩＴを同一チップ上に構成することにより、低電圧で動作させても高速であり、なおかつ低消費電力のＣ−ＭＯＳ集積回路が得られる。Ｅモード、Ｄ/Ｅモードの作り分けはｐチャネル、ｎチャネルＳＩＴのゲート電極である多結晶シリコンの導電型を替えるだけで実現でき、非常に容易に実現できる。
23	2042425	特開平05-102493	半導体装置の製造方法	タイトル	基板に垂直に形成した溝の側壁にも垂直に酸化膜を形成する半導体装置の製造方法
				利用分野	半導体集積回路等
				活用の視点・ポイント	Ｕ字溝面内における選択酸化技術に関する。切り込み部側壁を主平面に対して垂直に保ったままで側壁に十分な厚みの酸化膜を残し、かつ容易に側壁面への拡散窓開け、コンタクトホール開孔ができるのでゲート・ソース間容量の低減、半導体装置の高周波化、より微細加工が可能になる。
24	2111156	特開平05-102486	切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタの製造方法	タイトル	歩留まりが高い切り込み絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ
				利用分野	切り込み絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ
				活用の視点・ポイント	Ｕ字型溝の側壁に窒化膜を残したままで選択酸化を行うことでフィールド酸化膜の厚さと同程度かあるいはそれよりも浅いＵ字型の溝に対しても比較的垂直な側壁を有したフィールド酸化膜を形成することができ、ゲート電極の多結晶シリコンを異方性エッチングで形成する際においても膜減や断線が生じることなく、歩留まりが高い切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタが製造できる。
25	2132506	特開平04-069923	半導体製造装置	タイトル	再現性・均一性に高い薄膜形成ができる半導体製造装置
				利用分野	半導体製造装置
				活用の視点・ポイント	独立して温度制御ができる加熱源を同一反応室内の試料を置くサセプタの直前に設け、ガス導入口から供給されるガスを予熱することにより試料表面の温度変化を最小限に抑制し、プロセスの再現性や均一性の高い薄膜を得る事ができる。
26	2085587	特開平04-015959	半導体装置の製造方法	タイトル	基板に垂直に形成した溝側壁に歩留まり良くコンタクトホールを開孔する半導体装置の製造方法
				利用分野	半導体装置の製造方法
				活用の視点・ポイント	ＲＩＥと非酸化性被膜を用いた選択酸化を行うことにより切り込み部分の側壁面に１μｍ以下の寸法を有する微小な拡散領域を確実に、歩留まり良く形成でき、低消費電力、高効率、高周波で動作する半導体装置を製造できる。特に三次元構造の半導体装置の微細化に有効である。
27	2651678	特開平01-091463	高耐圧半導体素子及びその製造方法	タイトル	ベベル構造なしで実現できる高耐圧半導体素子及びその製造方法
				利用分野	高耐圧半導体素子
				活用の視点・ポイント	プレーナ・ダイオードの構成にすることにより接合表面での電界を弱め高耐圧が得られ、ベベル構造を不要とし歩留まり、工程数、コストの低減をもたらす高耐圧半導体素子及びその製造方法を提供する。
28	1704134	特開昭63-284846	半導体集積回路	タイトル	安価で容易に製造できる高速・大駆動能力を有する半導体集積回路
				利用分野	メモリセル・アレイやデコーダ、センスアンプなどの半導体集積回路等
				活用の視点・ポイント	電流を横方向に流す平面型MOSSITと電流を縦方向に流す切り込み型MOSSITの両者をほとんど工程を増加させる事なく、安価に混載でき、メモリセル・アレイやデコーダ、センスアンプなどで低消費電力、高集積度、高速、大駆動能力を満足する集積回路が実現できる。
29	1636404	特開昭63-131584	切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタの製造方法	タイトル	再現性・信頼性を高めた切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ
				利用分野	半導体集積回路等
				活用の視点・ポイント	自己整合的にゲート酸化膜・ゲート電極及びソース−ドレイン領域が形成できるので容易に短チャネル化ができ、寄生容量を減らせるので高速トランジスタや高速低消費電力の集積回路として優れた性能を発揮する。
30	1722739	特開昭63-131583	切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタの製造方法	タイトル	高速スイッチング・低消費電力の切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及び集積回路
				利用分野	半導体集積回路等
				活用の視点・ポイント	自己整合的にゲート酸化膜・ゲート電極及びソース−ドレイン領域が形成できる。容易に短チャネル化ができ、寄生容量を減らせるので、高速トランジスタや高速低消費電力の集積回路として再現性や信頼性を高めた切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法を提供する。