整理No. 特許番号 公開番号 特許名称 要 　　　　　 約
31 1636403 特開昭63-128675 切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ タイトル より高速スイッチングが可能な切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ
利用分野 半導体集積回路等
活用の視点・ポイント ゲートに接する部分のみをチャネル構造とする事によりスレッショルド電圧を増加させる事なく、また、ドレイン・ソース間のリーク電流を増加させる事なく容易に短チャネル化が実現でき、高速・低消費電力化が実現できる。高速トランジスタや高速低消費電力の集積回路として優れた性能を発揮する
32 1636402 特開昭63-128674 切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ タイトル より高速スイッチングが可能な切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ
利用分野 半導体集積回路等
活用の視点・ポイント ドレイン領域とソース領域がチャネル領域をはさんで対向しない構造とすることにより、オフ時のリーク電流を小さくでき、容易に短チャネル化ができ、スタンバイパワーを減らすことができる切込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタが実現できる
33 3082032 特開平11-68708 光信号の多重化送信装置 タイトル 超高速多重光通信に用いる光信号送信集積回路
利用分野 超高速多重光通信において時系列の光信号を送信する集積回路において、高速の半導体発光素子を用いた遅延回路を形成し、時系列の高密度光信号の送信を実現。
活用の視点・ポイント 高速の半導体発光素子を用いた遅延回路において、導電線路の有するインダクタンスと、光ファイバーケーブルに光学的に結合されている半導体発光素子、および前記発光素子の有する接合容量を少なくとも一部として含む容量によって決まる時定数を用いることを特徴とする。
34 3015761 特開平10-341220 多重光信号の分配装置 タイトル 光通信信号伝送
利用分野 超高速・大容量光通信に用いる多重信号の読み出し（復調）回路の基本構造
活用の視点・ポイント 超高速多重光通信における受光および多重光信号の分配回路に関するもので、遅延回路の時定数を簡単な回路構成で実現し、光信号を空間分配する回路装置を提供する。
35 2821563 特開平06-124900 化合物結晶のエピタキシャル成長方法及びそのドーピング方法 タイトル 化合物半導体素子の製造技術（超薄膜制御結晶成長）
利用分野 超高速・高出力の化合物半導体トランジスタなどの製造
活用の視点・ポイント 化合物半導体の結晶成長およびドーピング方法に関する発明で、MO-CVDやガスソースMBE法に有効な方法である。特に電子デバイスを作製する上で薄膜成長と不純物添加制御性は将来技術に対し、非常に有効であり、市場が期待されるInNや、GaNに対しても有効性が高い。
36 2096668 特開平05-190840 MOS複合静電誘導サイリスタ タイトル 大電力・高速直交変換素子
利用分野 電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
活用の視点・ポイント MOSトランジスタとSIサイリスタを同一基板に集積化してなるMOS複合静電誘導サイリスタに関するものであり、従来型よりゲート損失の低減と高速スイッチングを実現している。
37 2064887 特開平04-082275 半導体デバイス及びその製造方法 タイトル 化合物半導体素子の製造技術（超薄膜制御結晶成長）
利用分野 超高速化合物半導体トランジスタ回路や光半導体などの製造
活用の視点・ポイント MO-CVDと分子層エピタキシーを適所を相補的に用いることにより、これまでに実現できなかった素子構造を実現できる。具体的には化合物半導体の（１１１）A面と（１１１）B面上にそれぞれ選択的に結晶成長を施すことによる半導体デバイスの製造方法。
38 2114276 特開平04-033377 半導体装置の製造方法 タイトル 大電力高周波半導体装置の製造方法
利用分野 大電力高周波シリコントランジスタ（マイクロ波SIT)の製造方法
活用の視点・ポイント 低消費電力、高効率、高周波で動作する半導体装置の製造方法に関し、U型溝等の切り込み部分の側壁面に、１μｍ以下の寸法を有する微小な拡散領域を確実に、歩留まり良く形成する方法を提供する。
39 1793376 特開平03-292770 静電誘導サイリスタ タイトル 大電力・高速直交変換素子
利用分野 電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
活用の視点・ポイント ゲート損失の極めて小さく、ゲート駆動回路が簡略化できるMOS制御SIサイリスタの構造に関する発明である。
40 1793375 特開平03-292769 絶縁制御SIサイリスタの製造方法 タイトル 大電力・高速直交変換素子
利用分野 電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
活用の視点・ポイント ゲート損失の極めて小さいMOS制御SIサイリスタにおける駆動回路および制御回路を簡略化し、駆動回路の部品点数を削減した新規な構造を実現するための製造方法に関する。