整理No.	特許番号	公開番号	特許名称	要 　　　　　 約
41	1924385	特開平03-215390	化合物結晶のエピタキシャル成長におけるドーピング方法	タイトル	化合物半導体素子の製造技術（超薄膜制御結晶成長）
				利用分野	超高速化合物半導体トランジスタ回路や光半導体などの製造
				活用の視点・ポイント	結晶成分ガスとドーパンとの化合物ガスを所定の順序で別個に導入し結晶性長させる化合物半導体の結晶成長方法において、結晶成長成分ガスとドーパンとの化合物ガスと前後して反応ガスを導入することを特徴とする。このため２種類以上の不純物ガスを導入するco-dopingも含まれるので広い応用が期待できる。
42	2632687	特開平01-145847	電力半導体装置	タイトル	電力用半導体素子の集積化技術
				利用分野	ＳＩＴやＳＩサイリスタによるＩＣ化技術に関し、電力用ＩＣのスイッチング速度高速化を実現
				活用の視点・ポイント	半導体素子作製技術によりＳＩＴやＳＩサイリスタによるＩＣ化技術を実現し、これまでのバイポーラトランジスタに代わるパワーＩＣを実現するための製造技術と素子構造を提供している。
43	2680006	特開平01-145846	半導体装置及びその製造方法	タイトル	電力用スイッチング・増幅用半導体素子
				利用分野	SITを用いた高速電力用半導体スイッチングデバイス
				活用の視点・ポイント	従来のバイポーラトランジスタに代わり、低電流領域で電流増幅率の大きいSITを用い、SITを試作する工程で分離拡散を用いることでSITのダーリントン接続する工程を備えたことを特徴とする。
44	2632322	特開平01-093169	電力半導体素子	タイトル	電力変換機の高周波化と高効率化
				利用分野	電力用半導体素子（ＳＩサイリスタ、ＧＴＯ，ＩＧＢＴ，ＭＯＳゲートサイリスタ）に関する性能向上に関する素子技術
				活用の視点・ポイント	電力用半導体素子である各種サイリスタ構造に適用可能な技術として、素子内にアノード短絡構造を具備し、各種電力変換素子の高周波化および高効率化を実現している。
45	2706072	特開平01-091475	ｐｎ接合ダイオード	タイトル	半導体スイッチング素子（ｐｎ接合ダイオード）のスイッチング速度向上
				利用分野	電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
				活用の視点・ポイント	スイッチング速度を向上させたｐｎ接合ダイオードを実現するため、ライフタイムキラーを導入することなく、アノードショート領域を設け、オン電圧やリーク電流を抑えることに成功した。
46	2063827	特開平01-091465	半導体スイッチング素子	タイトル	大電力・高速直交変換素子
				利用分野	電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
				活用の視点・ポイント	スイッチング素子のスイッチング速度を向上させるため、ライフタイムキラーを導入することなく、アノードショート領域を設け、オン電圧やリーク電流を抑えることに成功した。
47	2603083	特開平01-091464	高耐圧半導体素子	タイトル	大電力・高速直交変換素子
				利用分野	電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
				活用の視点・ポイント	半導体素子（SIサイリスタやGTO）において高耐圧を得るための構造に関し、逆方向耐圧を得るｐｎ接合の表面部のみをベベル構造としたことを特徴とする。生産性が向上する。
48	2063828	特開平01-091462	半導体スイッチング素子	タイトル	大電力・高速直交変換素子
				利用分野	光通信およびオプトエレクトロニクス分野における高速高感度な光検出器などに応用。
				活用の視点・ポイント	スイッチング素子のスイッチング速度を向上させるため、ライフタイムキラーを導入することなく、アノードショート領域（同一平面に近接しｐ型領域とｎ型領域を配置した構造）を設け、オン電圧やリーク電流を抑えることに成功した。
49	2604175	特開平01-091460	高速スイッチングサイリスタ	タイトル	大電力・高速直交変換素子
				利用分野	電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
				活用の視点・ポイント	アノードショート構造を有する高速スイッチングサイリスタに関し、アノードショート領域をゲート低濃度領域下にのみ設けることにより、オン電圧を増加させることなくスイッチング速度の高速化を可能にした。
50	2729620	特開平01-091459	半導体スイッチング素子	タイトル	大電力・高速直交変換素子
				利用分野	電力用半導体スイッチングデバイスとして各種インバータや電力変換素子に用いる。
				活用の視点・ポイント	半導体スイッチング素子に用いるアノード・ショート構造に関し、アノードショート間隔をキャリアの拡散長の２倍もしくはそれ以下と規定している。これによりライフタイムキラーが不要となり高速スイッチングが可能となる。